SJ 50033.34-1994 半导体分立器件.F1129型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
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页数: |
13 |
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日期: |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,F1129型NPN硅功率达林顿晶体管,详细规范,SJ 50033/34-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type FH129 NPN,silicon pow¢r Darlington transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 FH129型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总题范>1.3条规定,提供质量的保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别郎字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023 - 86,GB 4587-84,GB 7581- 87,GJB 33-85,GJB 128 -86,半导体分立器件第2部分:整流二极管,双极型晶体管测试方法,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试睑方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2 .]引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或银层,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布,- 1 一,1994-12 0I 实施,SJ 50033/34-94,3.2.2 器件结构,单片、三重扩散、台面结构,3.2.3 电原理图,电原理图应按图1上的规定,3.2.4 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中B2-QIC型的规定。见图2,3.3 最大额定值和主要电特性(Ta = 25C ),3.3.1 最大额定值,型号,Pg,TC = 25V,(W),P?,Tc = 25 七,(W),VcBO,(V),Vcto,(V),丫3,(v),Ic,A,厶,A,Ti,(C),シ,*,(V),F1129A 300 制,F1129B 400 400,F1129C,FH29D,5 225,500,600,5,500,600,2。4 -55.+175 —55.+175,F1129E 700 700,F1129F 800 800,注;1)当底>25セ时,按33.3mW/じ线性降妬,2)当TQ251C时,按I.5Wハ:线性降额,3.3.2主要电特性(17=25セ),“限值,35V,1 二 6A,厶FE2,y 5V,ルニワA,h国,ビCE』5V,fc-20A,腌,Vce=5V,1 二 5A,f= 1kHz,河,Vce = 5V,ムエ5A,产 1MHz,Vwxeh,Ic- 12A,Ib = 0.12A,(V),Ic = 20A,32A,(V),型式,最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大値,最小至,最大值,色标;,红500 — 500 1100 500 — 5 125 一,黄1000 — 1000 2200 100 一1000 — 10 250 一3.0 —— 3.5,绿2000 — 2000 一2000 —— 20 500 一,SJ 50033/34-94,续表,や隈值,型号、,ビ臣3M,6A,Ijj - 0.6A,(V),ド,h=12A,厶二0」2A,(V),Ven的お,/c = 20A,h = 2A,(V),『GBO,(mA),[困,Veb = 5V,(mA),C#,V^LOV,1E = 0,100kHaCf
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